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SSD 512GB PCIe Gen 3 x 4, NVMe, 80.15 mm × 22.15 mm × 2.38 mm Up to 2500MB/s read speed, 1025MB/s write speed - HS-SSD-Desire(P) 512G
30897 Hikvision

SSD 512GB PCIe Gen 3 x 4, NVMe, 80.15 mm × 22.15 mm × 2.38 mm Up to 2500MB/s read speed, 1025MB/s write speed - HS-SSD-Desire(P) 512G

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HIKVISION Desire SSD 512GB PCIe Gen 3 x 4, NVMe, Up to 2500MB/s read speed, 1025MB/s write speed - HS-SSD-Desire(P) 512G.

Basándose en la experiencia en seguridad de Hikvision, está comprometida con el desarrollo de cuatro negocios principales, que incluyen unidades de estado sólido, tarjetas de memoria, discos de red privada y almacenamiento móvil. Cuenta con un sólido sistema de cadena de suministro y un perfecto proceso de posventa. A nivel técnico, el SSD de la serie Desire(P) adopta control maestro SSD avanzado y tecnología 3D NAND Flash, con software de gestión NAND Flash desarrollado de forma independiente por HIKSEMI para garantizar la velocidad de lectura y escritura y la seguridad de los datos. A nivel de producto, los SSD de la serie Desire (P) utilizan parches BGA y 3D NAND Flash de la más alta calidad, que son producidos por líneas de producción automatizadas y probados según los estrictos estándares de Hikvision para garantizar un servicio estable. El SSD de la serie Desire (P) se puede usar ampliamente en computadoras personales, consolas de juegos y otros equipos para proporcionar servicios estables y de alta velocidad para el sistema de destino.

Características

Interfaz PCIe de alta velocidad R/W máx. velocidad de lectura hasta 2500 MB/s

Capacidad de 512GB

Tecnología 3D NAND La tecnología 3D NAND ayuda a desarrollar una mayor capacidad, rendimiento y estabilidad

Antichoque y anticaída

Sin estructura mecánica, con control de chip electrónico, datos más seguros.

Campo de aplicación

Aplicable a ordenadores personales, portátiles, etc.

Especificaciones

Modelo Desire(P) series

Capacidad 512GB

Formato M.2 2280

Lectura Máxima 2500 MB/s

Escritura Máxima 1025 MB/s

Max. Ran 4 K Read (IOPS) 55 K

Max. Ran 4 K Write (IOPS) 225 K

Consumo Maximo de Energia 2.2 W

TBW 120 TB

MTBF 1,500,000 h

Medio de Almacenamiento 3D NAND

Interface PCIe

Temperatura de Trabajo 0 °C ~ 70 °C

Temperatura de Almacenamiento -40 °C ~ 85 °C

TRIM Soportado

Peso =7g

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